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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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杂质对生长SiGe／Si量子阱发光材料的影响
Keywords: 硅源杂质量子阱发光锗源
Abstract:
发现Ｓｉ源和Ｇｅ源中的深能级杂质是影响ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱带边激子发光的主要因素，研究了在低阻衬底上外延，在量子阱中重掺Ｓｂ或顶层中重掺Ｂ都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光。
| [1] | 黄大鸣 卢学坤.SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱[J].半导体学报,1994,15(3):213-216,.
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| [2] | 杨宇，SPIE
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