%0 Journal Article
%T 杂质对生长SiGe／Si量子阱发光材料的影响
%J 红外与毫米波学报
%D 1995
%X 发现Ｓｉ源和Ｇｅ源中的深能级杂质是影响ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱带边激子发光的主要因素，研究了在低阻衬底上外延，在量子阱中重掺Ｓｂ或顶层中重掺Ｂ都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光。
%K 硅源杂质量子阱发光锗源
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19950335&flag=1