1-3μm硼注入碲镉汞光伏器件的C-V禾G-V特性研究

利用自制的阻抗测量系统研究了碲镉汞光伏器件的Ｃ－Ｖ和Ｇ－Ｖ特性．实验结果表明：器件有着复杂的内在结构，可能是ｎｐｎ＋三层结构中的ｐｎ＋结起主导作用．此外，所有器件的Ｃ－Ｖ特性都表现出相似的反常特性，室温下这种效应比低温下更为明显．