%0 Journal Article
%T 1-3μm硼注入碲镉汞光伏器件的C-V禾G-V特性研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1995
%X 利用自制的阻抗测量系统研究了碲镉汞光伏器件的Ｃ－Ｖ和Ｇ－Ｖ特性．实验结果表明：器件有着复杂的内在结构，可能是ｎｐｎ＋三层结构中的ｐｎ＋结起主导作用．此外，所有器件的Ｃ－Ｖ特性都表现出相似的反常特性，室温下这种效应比低温下更为明显．
%K 碲镉汞
%K 光伏探测器
%K 硼注入
%K C－V特性
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19950222&flag=1