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红外与毫米波学报 2015
InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性Keywords: InAs/GaSb二类超晶格 瞬态特性 红外探测器 Abstract: 报道了InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性.通过对p-b-i-n二类超晶格探测器对皮秒脉冲激发的瞬态响应特性的分析及拟合, 获得了器件的表观少数载流子的寿命.并对不同尺寸台面结构单元器件进行测试分析, 发现少数载流子寿命随着台面面积的增大而增大, 归结为由于侧壁表面效应带来的影响.所测器件的少数载流子为空穴, 其表观寿命约为2～12ns
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