%0 Journal Article
%T InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性
%A 周易
%A 李志锋
%A 陆卫
%A 陈建新
%A 黄亮
%J 红外与毫米波学报
%D 2015
%X 报道了InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性.通过对p-b-i-n二类超晶格探测器对皮秒脉冲激发的瞬态响应特性的分析及拟合, 获得了器件的表观少数载流子的寿命.并对不同尺寸台面结构单元器件进行测试分析, 发现少数载流子寿命随着台面面积的增大而增大, 归结为由于侧壁表面效应带来的影响.所测器件的少数载流子为空穴, 其表观寿命约为2～12ns
%K InAs/GaSb二类超晶格 瞬态特性 红外探测器
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=140038&flag=1