n型AlAs／GaAlAs量子阱子带间正入射吸收跃迁振子强度
Keywords: 量子阱,红外探测器,正入射吸收,振子强度
Abstract:
对ｎ型电子有效质量各向异性半导体量子阱，给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式．这种子带间的跃迁有束缚基态到束缚的激发态的，有束缚基态到扩展的激发态的．以ＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ为例研究了量子阱生长方向、阱宽对量子阱吸收波长和振子强度的影响
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