%0 Journal Article
%T n型AlAs／GaAlAs量子阱子带间正入射吸收跃迁振子强度
%J 红外与毫米波学报
%D 1997
%X 对ｎ型电子有效质量各向异性半导体量子阱，给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式．这种子带间的跃迁有束缚基态到束缚的激发态的，有束缚基态到扩展的激发态的．以ＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ为例研究了量子阱生长方向、阱宽对量子阱吸收波长和振子强度的影响
%K 量子阱
%K 红外探测器
%K 正入射吸收
%K 振子强度
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19970218&flag=1