PC型HgCdTe探测器的记忆效应
Keywords: 记忆效应动态响应汞镉碲探测器红外探测
Abstract:
通过测量PC型HgCdTe探测器的动态响应,发现在工作温度(77K)下,激光辐照后,探测器的电导率产生改变(记忆),电阻变化率提高,这种现象在工作温度下能长期保持。当升温(至室温)后,记忆功能消失。本文对这种现象进行了多方面的实验研究和机理的分析。
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