%0 Journal Article
%T PC型HgCdTe探测器的记忆效应
%J 红外与毫米波学报
%D 1998
%X 通过测量ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ探测器的动态响应，发现在工作温度（７７Ｋ）下，激光辐照后，探测器的电导率产生改变（记忆），电阻变化率提高，这种现象在工作温度下能长期保持。当升温（至室温）后，记忆功能消失。本文对这种现象进行了多方面的实验研究和机理的分析。
%K 记忆效应动态响应汞镉碲探测器红外探测
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19980458&flag=1