低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究

用低能离子束轰击工艺制备了３－５μｍ及８－１０μｍ碲镉汞ｐｎ结，研究了它们的电流－电压及电容－电压特性，发现该ｐｎ结为缓变结，与通常认为的关于低能离子束轰击ｐ型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合。