%0 Journal Article
%T 低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究
%J 红外与毫米波学报
%D 1998
%X 用低能离子束轰击工艺制备了３－５μｍ及８－１０μｍ碲镉汞ｐｎ结，研究了它们的电流－电压及电容－电压特性，发现该ｐｎ结为缓变结，与通常认为的关于低能离子束轰击ｐ型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合。
%K 离子束轰击碲镉汞pn结电学特性红外材料
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=19980104&flag=1