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ISSN: 2333-9721
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红外与毫米波学报 1999

杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响

Keywords: 自组织量子点,PL,硅掺杂,InAs/GaAs

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Abstract:

研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点.该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义.

References

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