%0 Journal Article
%T 杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响
%J 红外与毫米波学报
%D 1999
%X 研究了较低掺杂浓度时InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响.光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄.该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点.该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义.
%K 自组织量子点
%K PL
%K 硅掺杂
%K InAs/GaAs
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=199906119&flag=1