碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能

用液相外延的方法在ＣｄＺｎＴｅ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料，获得了表面形貌好，位错密度低，组份均匀的碲匐汞外延材料，生长工艺对材料的参数控制有较好重复性，外延材料经热处理后，材料的Ｐ型和Ｎ型电学参数都达到较好的水平，并具有良好的可重复性。