%0 Journal Article
%T 碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能
%J 红外与毫米波学报
%D 2000
%X 用液相外延的方法在ＣｄＺｎＴｅ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料，获得了表面形貌好，位错密度低，组份均匀的碲匐汞外延材料，生长工艺对材料的参数控制有较好重复性，外延材料经热处理后，材料的Ｐ型和Ｎ型电学参数都达到较好的水平，并具有良好的可重复性。
%K 液相外延组份电学参数碲镉汞薄膜生长
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20000241&flag=1