GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究
Keywords: 分子束外延,砷化镓,半导体,AlGaAs
Abstract:
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化。通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化。
References
[1] | 刘兴权 陆卫.GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究[J].半导体学报,:.
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