质子注入和快速退火对GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的影响
Keywords: 质子注入快速退火量子阱红外探测器
Abstract:
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5?10
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