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Keywords: 量子级联激光器制备V-I特性光功率/电流特性发光特性InGaAsInAlAs半导体激光器
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简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性,该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0.5A,相应的阈值电流密度为5KA/cm^2。
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