%0 Journal Article
%T InGaAs／InAlAs量子级联激光器研究
%J 红外与毫米波学报
%D 2001
%X 简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性，该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0．5A，相应的阈值电流密度为5KA／cm^2。
%K 量子级联激光器制备V－I特性光功率／电流特性发光特性InGaAsInAlAs半导体激光器
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20010114&flag=1