离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度

用Ar＋离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小；当汞空位浓度一定时,n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加.