%0 Journal Article
%T 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度
%A 徐国庆
%A 刘向阳
%A 王仍
%A 储开慧
%A 汤亦聃
%A 乔辉
%A 贾嘉
%A 李向阳
%J 红外与毫米波学报
%D 2014
%X 用Ar＋离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小；当汞空位浓度一定时,n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加.
%K 激光诱导电流
%K p型碲镉汞
%K Ar离子束刻蚀
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=130323&flag=1