毫米波单片有源混频器的研制
Keywords: 混频器 ,砷化镓 ,毫米波 ,变频增益 ,隔离度
Abstract:
采用OMMIC0.18μmGaAspHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.
References
[1] Smith C. LMDS : Local Multipoint Distribution Service [M]. New York : McGraw-Hill ,2000,12-16. [2] 陈继新 洪伟 殷晓星 等.低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制[J].红外与毫米波学报,2006,25(4):271-274. [3] Mass S A. The RF and Microwave Circuit Design Cookbook [M]. London: Artech House,1998:175-211. [4] Robertson I D, Lucyszyn S. RFIC and MMIC Design and Technology[M]. London: IEE, 2001,315-321. [5] 陈继新 洪伟 严蔟蒴 等.毫米波单片混频器的研制[J].固体电子学研究与进展,2006,26(1):25-28. [6] 周密 徐军 罗慎独 等.一种使用一维电磁带隙结构的高性能Ka频段四次谐波混频器[J].红外与毫米波学报,2006,25(2):147-149. [7] 程知群 孙晓玮 钱蓉.8mm集成环形倒扣混频器设计和研制[J].红外与毫米波学报,2003,22(5):389-392. [8] Brabetz T, Fusco V F. Design of a millimeter-wave mixer for broadband mobile communications [C]. High Frequency Postgraduate Student Colloquium, 1999:28-33. [9] 言华.微波固态电路[M].北京:北京理工大学出版社,1995.
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