%0 Journal Article
%T 毫米波单片有源混频器的研制
%J 红外与毫米波学报
%D 2008
%X 采用OMMIC0.18μmGaAspHEMT工艺,研制了毫米波单片有源混频器.该混频器选用单栅极单端FET混频结构.在中频输出端设计了低通滤波器,以提高LO-IF、RF-IF的隔离度.芯片的尺寸仅为0.95mm×1.85mm.在射频频率为39GHz、输出中频频率为3GHz时,该混频器的变频增益为0.6dB,LO-IF隔离度大于55dB,RF-IF的隔离度大于30dB.
%K 混频器
%K 砷化镓
%K 毫米波
%K 变频增益
%K 隔离度
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20080503&flag=1