HfxTi1-xO2电子结构与光学性质的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法，研究了金红石结构TiO2以及不同比例Hf替代Ti原子后形成的化合物HfxTi1-xO2的几何结构、电子结构和光学性质。计算结果表明，化合物HfxTi1-xO2都是具有间接带隙的半导体，Hf的替代使TiO2的禁带宽度有不同程度的增加，静态光学介电常数减小，但均高于SiO2，因此能够满足微电子行业对于高k材料的要求。