%0 Journal Article
%T HfxTi1-xO2电子结构与光学性质的第一性原理研究
%A 段国玉
%A 宋思超
%A 魏昌东
%A 王松有
%A 贾瑜
%J 红外与毫米波学报
%D 2010
%X 利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法，研究了金红石结构TiO2以及不同比例Hf替代Ti原子后形成的化合物HfxTi1-xO2的几何结构、电子结构和光学性质。计算结果表明，化合物HfxTi1-xO2都是具有间接带隙的半导体，Hf的替代使TiO2的禁带宽度有不同程度的增加，静态光学介电常数减小，但均高于SiO2，因此能够满足微电子行业对于高k材料的要求。
%K 高k材料
%K 第一性原理
%K 电子结构
%K 光学性质
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=29616&flag=1