DC磁控溅射制备的TiNx薄膜组分及性能分析

利用DC磁控溅射法在p-Si（111）衬底上制备了TiNx薄膜。利用X射线能谱仪（EDX）、X射线衍射（XRD）、紫外/可见分光光度计、四探针电阻率测试仪等分析薄膜的组分、结构和特性。结果表明：薄膜中原子比N/Ti接近于1；衬底温度对薄膜的择优取向影响显著，240℃附近是TiNx薄膜结晶择优取向由（111）向（200）转变的临界点；薄膜的反射率在近红外波段平均反射率随衬底温度升高，先增大后减小，薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著降低。