锗掺杂二氧化硅膜的紫外光致折变

研究了用火焰水解法制备的掺锗二氧化硅膜在KrF紫外激光下曝光后的结构和光学性质的变化。经过10min的照射后，在1550nm处的折射率变化大约为3.41×10-3。采用原子力显微镜分析了曝光过程及膜的表面形貌。结果表明：随着曝光时间的延长，膜的致密性增加，表面粗糙度下降，折射率增大。