基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导
, PP. 229-233
Keywords: 半导体技术,集成电路,0.13μm工艺,CMOS场效应管,输出电导,半导体技术,集成电路,0.13μm工艺,CMOS场效应管,输出电导
Abstract:
对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究，给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好，证明了设计公式的有效性。
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