%0 Journal Article
%T 基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导
%A 杨志民
%A 马义德
%A 马永杰
%A 摆玉龙
%A 杨鸿武
%J 吉林大学学报(工学版)
%P 229-233
%D 2009
%X 对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究，给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好，证明了设计公式的有效性。
%K 半导体技术
%K 集成电路
%K 0.13μm工艺
%K CMOS场效应管
%K 输出电导
%K 半导体技术
%K 集成电路
%K 0.13μm工艺
%K CMOS场效应管
%K 输出电导
%U http://xuebao.jlu.edu.cn/gxb/CN/Y2009/V39/I01/229