OALib Journal期刊
退火对NiCr薄膜阻值的影响分析
DOI: 10.11830/ISSN.1000-5013.2009.01.0027
Keywords: 镍铬 , 薄膜电阻 , 热退火 , 磁控溅射
Abstract:
?????????????Si????????NiCr???,???????????????????????NiCr???????.???????????????????????????,?????????NiCr??????????С,?????????????.???????????350???,????е??С???????????????,????????????С,????????????С; ??????450?????5 min??,??????????????,?????????????????????????.
References
[1] 张小玲, 孙承松, 李云鹏. 溅射条件对InSb薄膜方块电阻的影响 [J]. 传感器世界, 1998(3):11-15. [2] 马忠权, 徐少辉, 简基康. 共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性质分析 [J]. 新疆大学学报(自然科学版), 2002(1):1-5.doi:10.3969/j.issn.1000-2839.2002.01.001. [3] 贾德昌. 电子材料 [M]. 哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社, 2000.24-26. [4] TOSHIHIDE SUZUKI, TSUYOSHI TAKAHASHI, TATSUYA HIROSE. A 80-Gbit/s D-type flip-flop circuit using InP HEMT technology [J]. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 2004, (10):1706-1711.doi:10.1109/JSSC.2004.833554. [5] STEPHEN H, RAMANAN B, TENTZERIS M M. Modified Wilkinson power dividers for millimeter-wave integrated circuits [J]. IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques, 2007, (11):2439-2446.doi:10.1109/TMTT.2007.908672. [6] 谢生. InP基PIN-HEMT光接收机的理论、设计及其关键工艺研究 [D]. 厦门:厦门大学, 2006. [7] 张景旭, 田兴志. 厚、薄膜电阻激光快速微调技术 [J]. 光机电信息, 2000(7):23-26.doi:10.3969/j.issn.1007-1180.2000.07.009. [8] 穆杰, 张开方, 李玉茹. 集成电路镍铬薄膜的电阻特性和热处理效应 [J]. 半导体情报, 1994(6):16-19. [9] 张丽娟, 王芳, 孙承松. 高稳定Ni-Cr薄膜电阻的研究 [J]. 微处理机, 2005(4):7-8.doi:10.3969/j.issn.1002-2279.2005.04.003. [10] 朱恩, 王志功, 冯军. 2.5～40 Gb/s光收发关键器件芯片技术 [J]. 中国有色金属学报, 2007(1):369-380.doi:10.3321/j.issn:1004-0609.2004.z1.060. [11] 陈立强, 张健, 李志强. 面向5 GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文) [J]. 半导体学报, 2007(6):823-828.doi:10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.002. [12] 孔庆升. 薄膜电子学 [M]. 北京:电子工业出版社, 1994.37-39.
Full-Text
Contact Us
service@oalib.com
QQ:3279437679
WhatsApp +8615387084133
