铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计
DOI: 10.11830/ISSN.1000-5013.2008.03.0338
Keywords: 互补金属氧化物半导体, 浮充充电, 过充, 过放, 过流, 铅酸蓄电池
Abstract:
针对蓄电池充电和保护电路的分离及占用较大的面积等问题,采用CSMC公司0.6μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计集蓄电池充电和保护功能于一身的集成电路.它既可以实现对免维护铅酸蓄电池的浮充充电及过充、过放、过流保护,也可以解决分立元件构成的电路占用面积大的问题.采用Ca-dence中的Spectre对电路进行模拟仿真,结果表明,当温度在-10~90℃范围内,基准电压随温度的变化呈抛物线的形状,电路的温度得到很好的补偿.
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