%0 Journal Article
%T 铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计
%A 凌朝东
%A 曾德友
%A 李国刚
%A 王加贤
%J 华侨大学学报(自然科学版)
%D 2008
%R 10.11830/ISSN.1000-5013.2008.03.0338
%X 针对蓄电池充电和保护电路的分离及占用较大的面积等问题,采用CSMC公司0.6μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计集蓄电池充电和保护功能于一身的集成电路.它既可以实现对免维护铅酸蓄电池的浮充充电及过充、过放、过流保护,也可以解决分立元件构成的电路占用面积大的问题.采用Ca-dence中的Spectre对电路进行模拟仿真,结果表明,当温度在-10~90℃范围内,基准电压随温度的变化呈抛物线的形状,电路的温度得到很好的补偿.
%K 互补金属氧化物半导体
%K 浮充充电
%K 过充
%K 过放
%K 过流
%K 铅酸蓄电池
%U http://www.hdxb.hqu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200803005