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ISSN: 2333-9721
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材料工程  2003 

裂解升温速率对聚碳硅烷先驱体转化制备Cf/SiC材料弯曲性能的影响

, PP. 11-13

Keywords: Cf/SiC复合材料,聚碳硅烷,弯曲强度,界面

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Abstract:

以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体制备了3D-BCf/SiC复合材料,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对材料力学性能的影响。结果表明随着裂解升温速率的提高,材料致密度增加,界面结合变弱,从而陶瓷基复合材料的力学性能明显提高。以15℃/min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的室温弯曲强度达到556.7MPa,1300℃真空下测试,材料的弯曲强度达到680.3MPa。

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