%0 Journal Article
%T 裂解升温速率对聚碳硅烷先驱体转化制备Cf/SiC材料弯曲性能的影响
%A 简科
%A 陈朝辉
%A 陈国民
%A 马青松
%A 郑文伟
%J 材料工程
%P 11-13
%D 2003
%X 以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体制备了3D-BCf/SiC复合材料,研究先驱体转化过程中不同裂解升温速率对材料力学性能的影响。结果表明随着裂解升温速率的提高,材料致密度增加,界面结合变弱,从而陶瓷基复合材料的力学性能明显提高。以15℃/min裂解升温速率制得的陶瓷基复合材料的室温弯曲强度达到556.7MPa,1300℃真空下测试,材料的弯曲强度达到680.3MPa。
%K Cf/SiC复合材料
%K 聚碳硅烷
%K 弯曲强度
%K 界面
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y2003/V0/I11/11