NM/FS1/FS2/NM结的隧穿电导和隧穿磁电阻
Keywords: 隧穿磁电阻,铁磁半导体,Rashba耦合
Abstract:
利用平均场近似和转移矩阵方法，对NM/FS1/FS2/NM结（NM为非磁金属，FS1和FS2为铁磁半导体层）的隧穿磁电阻（TMR）与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究.结果表明NM/FS1/FS2/NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化，选择适当的半导体层的厚度和Rashba自旋轨道耦合系数可以得到大的TMR值.
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