%0 Journal Article
%T NM/FS1/FS2/NM结的隧穿电导和隧穿磁电阻
%A 唐科
%A 黄劲松
%A 朱林
%A 谢征微
%A 李玲
%J 四川师范大学学报(自然科学版)
%D 2008
%X 利用平均场近似和转移矩阵方法，对NM/FS1/FS2/NM结（NM为非磁金属，FS1和FS2为铁磁半导体层）的隧穿磁电阻（TMR）与FS层厚度及Rashba自旋轨道耦合的关系进行了研究.结果表明NM/FS1/FS2/NM结中TMR值随半导体层厚度的改变发生周期性变化，选择适当的半导体层的厚度和Rashba自旋轨道耦合系数可以得到大的TMR值.
%K 隧穿磁电阻
%K 铁磁半导体
%K Rashba耦合
%U http://jsnu.paperopen.com/oa/darticle.aspx?type=view&id=200806018