铁电场效应晶体管：原理、材料设计与研究进展Ferroelectric-gateFieldEffectTransistors:WorkingPrinciple,MaterialsDesign,andRecentResearchProgress

DOI: 10.6054/j.jscnun.2012.06.001, PP. 0-0

Keywords: 非易失性存储器,铁电场效应晶体管,闪存,有机半导体,氧化物半导体

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