%0 Journal Article
%T 铁电场效应晶体管：原理、材料设计与研究进展Ferroelectric-gateFieldEffectTransistors:WorkingPrinciple,MaterialsDesign,andRecentResearchProgress
%J 华南师范大学学报(自然科学版)
%P 0-0
%D 2012
%R 10.6054/j.jscnun.2012.06.001
%K 非易失性存储器
%K 铁电场效应晶体管
%K 闪存
%K 有机半导体
%K 氧化物半导体
%U http://journal.scnu.edu.cn:8080/jwk_xbzrb/CN/abstract/abstract2690.shtml