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ISSN: 2333-9721
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一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法(英文)

, PP. 55-58

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Abstract:

MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重.本文通过在SOI和基片之间增加一条具有高导热和低导电的路径,减小了自加热的负面效应

References

[1]	[ Garner D M, Chen Y, Sabesan L, et al . A novel flash EEPROM cell based on trench technology for integration within Power integrated circuits[ J] . IEEE Electron Device Letters, 21( 5) : 236~ 238.

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