%0 Journal Article
%T 一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法(英文)
%A ParkeSA
%A ColeBryan
%J 南京师范大学学报(工程技术版)
%P 55-58
%D 2003
%X MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重.本文通过在SOI和基片之间增加一条具有高导热和低导电的路径,减小了自加热的负面效应
%K SOI硅一绝缘体
%K MOSFET器件
%K 自加热效应
%U http://njsfdxgckj.paperonce.org/oa/DArticle.aspx?type=view&id=20030415