掺钛氧化锌半导体薄膜制备及其光学性质的研究

以二氧化钛( TiO2 ) 掺杂的氧化锌( ZTO) 陶瓷靶作为溅射源材料，采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积了ZTO 半导体薄膜，利用可见-紫外光分光光度计、四探针仪测试以及多种光学表征方法，研究了陶瓷靶中TiO2含量对ZTO薄膜光学性质和光电综合性能的影响．实验结果表明: ZTO 薄膜的折射率表现为正常的色散特性，其色散行为遵循有效单振子模型．TiO2含量对ZTO 薄膜的电阻率、透过率、折射率、消光系数和光学带隙等具有不同程度的影响，当TiO2的质量分数为3%时，ZTO 薄膜的电阻率最低、可见光平均透过率最高、光电综合性能最好．