%0 Journal Article
%T 掺钛氧化锌半导体薄膜制备及其光学性质的研究
%A 钟志有
%A 兰椿
%A 汪浩
%J 中南民族大学学报(自然科学版)
%P 51-57
%D 2014
%X 以二氧化钛( TiO2 ) 掺杂的氧化锌( ZTO) 陶瓷靶作为溅射源材料，采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积了ZTO 半导体薄膜，利用可见-紫外光分光光度计、四探针仪测试以及多种光学表征方法，研究了陶瓷靶中TiO2含量对ZTO薄膜光学性质和光电综合性能的影响．实验结果表明: ZTO 薄膜的折射率表现为正常的色散特性，其色散行为遵循有效单振子模型．TiO2含量对ZTO 薄膜的电阻率、透过率、折射率、消光系数和光学带隙等具有不同程度的影响，当TiO2的质量分数为3%时，ZTO 薄膜的电阻率最低、可见光平均透过率最高、光电综合性能最好．
%K 氧化锌薄膜
%K 掺杂
%K 光学性质
%U http://znzk.scuec.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20140114&flag=1