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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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一种可控静电双阱方案囚禁阱深的理论分析
, PP. 740-745
Keywords: 原子与分子光学,可控制静电双阱,静电场分布,分子囚禁
Abstract:
给出了可控制静电双阱方案的静电场分布与几何参数的关系，同时还给出了囚禁中心位置与系统参数的依赖关系。研究表明，我们可通过改变方案的系统参数改变囚禁中心的位置、囚禁势阱的深度及势阱的体积，从而实现囚禁经过Stark减速器得到的冷分子，甚至通过选择合适的系统参数实现温度更高的冷分子囚禁。
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