%0 Journal Article
%T 一种可控静电双阱方案囚禁阱深的理论分析
%A 许雪艳
%A 陈海波
%J 量子电子学报
%P 740-745
%D 2014
%X 给出了可控制静电双阱方案的静电场分布与几何参数的关系，同时还给出了囚禁中心位置与系统参数的依赖关系。研究表明，我们可通过改变方案的系统参数改变囚禁中心的位置、囚禁势阱的深度及势阱的体积，从而实现囚禁经过Stark减速器得到的冷分子，甚至通过选择合适的系统参数实现温度更高的冷分子囚禁。
%K 原子与分子光学
%K 可控制静电双阱
%K 静电场分布
%K 分子囚禁
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract9065.shtml