TATB晶体结构的周期性密度泛函理论研究

对TATB晶体进行DFT-B3LYP/6-31G~(**)周期性计算研究，求得其能带能带结构和电子结构。探讨了结构-性能关系，从带隙约为4.1eV扒知TATB晶体的导电性处于半导体和绝缘体之间，计算所得升华热为136.25kJ·mol~(-1)，与实验值良好相符，从原子间距和Mülliken集居分析，发现TATB晶体中同一层分子之间存在氢键，而不同层之间距离较大，作用较弱，TATB分子中硝基氧带较多负电荷而氨基氢带较多正电荷，这使TATB很难成为电子受体和给体，故化学上很稳定，考察晶体中点电荷静电势，发现其在(001)面上的投影呈均匀分布，而在(100)和(010)面上的揣影则有明显界面，表明同层分子间电子呈高度离域，异层之间相互作用极小，这可解释TATB晶体沿c轴鼓胀以及受热循环后长大的各向异性和不可复原性等实验事实。