%0 Journal Article
%T TATB晶体结构的周期性密度泛函理论研究
%A 姬广富
%A 肖鹤鸣
%A 居学海
%A 董海山
%J 化学学报
%P 1186-1191
%D 2003
%X 对TATB晶体进行DFT-B3LYP/6-31G~(**)周期性计算研究，求得其能带能带结构和电子结构。探讨了结构-性能关系，从带隙约为4.1eV扒知TATB晶体的导电性处于半导体和绝缘体之间，计算所得升华热为136.25kJ·mol~(-1)，与实验值良好相符，从原子间距和Mülliken集居分析，发现TATB晶体中同一层分子之间存在氢键，而不同层之间距离较大，作用较弱，TATB分子中硝基氧带较多负电荷而氨基氢带较多正电荷，这使TATB很难成为电子受体和给体，故化学上很稳定，考察晶体中点电荷静电势，发现其在(001)面上的投影呈均匀分布，而在(100)和(010)面上的揣影则有明显界面，表明同层分子间电子呈高度离域，异层之间相互作用极小，这可解释TATB晶体沿c轴鼓胀以及受热循环后长大的各向异性和不可复原性等实验事实。
%K 硝基苯
%K P
%K 密度泛函理论
%K 能带结构
%K 电子结构
%K 各向异性
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract328114.shtml