二元硅氧环与CFn(n＝1～3)自由基反应的理论研究
, PP. 2046-2050
Keywords: 二氧化硅,CFn,(n＝1～3),反应机理,密度泛函
Abstract:
用密度泛函理论在UB3LYP/6-31G(d)水平上研究了二元硅氧环与CFn(n＝1～3)自由基的反应,弄清了微观反应机理,计算了反应的活化能和反应热.计算结果表明反应按两类相互竞争的机理进行一类是不涉及C—F键断裂的反应,另一类是Si—O和C—F键同时断裂的反应.CF2自由基与二元硅氧环反应所需活化能最小、驱动力最大,是Si—O键最有效的刻蚀剂,与实验结果一致.
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