%0 Journal Article
%T 二元硅氧环与CFn(n＝1～3)自由基反应的理论研究
%A 郭冠伦
%A 朱荣秀
%A 张冬菊
%A 刘成卜
%J 化学学报
%P 2046-2050
%D 2006
%X 用密度泛函理论在UB3LYP/6-31G(d)水平上研究了二元硅氧环与CFn(n＝1～3)自由基的反应,弄清了微观反应机理,计算了反应的活化能和反应热.计算结果表明反应按两类相互竞争的机理进行一类是不涉及C—F键断裂的反应,另一类是Si—O和C—F键同时断裂的反应.CF2自由基与二元硅氧环反应所需活化能最小、驱动力最大,是Si—O键最有效的刻蚀剂,与实验结果一致.
%K 二氧化硅
%K CFn
%K (n＝1～3)
%K 反应机理
%K 密度泛函
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract336680.shtml