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化学学报 1998
SrS/α-SiO~2界面的XPS研究, PP. 999-1003 Keywords: 硫化物,锶化合物,二氧化硅,界面,Ｘ射线光电子谱法,化学位移,电子态,界面态,电子结构,输运 Abstract: TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用。本文通过XPS的测量,分析了新结构器件中SrS/α-SiO~2界面的各成分的芯电子能谱的变化和深度分布,发现Sr^2^+向SiO~2中扩散较深并以氧化物的形态存在,介质层以SiO~x(x=1.65～1.70)的形态存在。这些丰富的界面态有可能成为TFEL器件的初电子源而对SrSCe发光有贡献。
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